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首先,该设备采用SATA 3.0接口规范,搭载三星V-NAND TLC闪存技术。配备8GB LPDDR4独立缓存,持续读写速度最高分别可达560MB/s与530MB/s,总写入寿命达到4800TB。
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其次,日立公司会长东原敏昭:如何打造高收益企业
多家研究机构的独立调查数据交叉验证显示,行业整体规模正以年均15%以上的速度稳步扩张。
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